各二級單位🦻🏻🦨，機關及直屬各部門：
上海市科委發布《上海市2024年度“科技創新行動計劃”超導領域技術攻關項目申報指南的通知》。具體通知如下：
一👯♀️、征集範圍
專題一、超導材料技術（企業牽頭）
方向1：基於離子輻照的超導帶材強場性能提升技術研究
方向2：強場動態磁體用超導帶材性能提升技術研究
方向3👨🏼🔬：大尺寸超導靶材批量化製備技術研究
專題二、超導磁體技術
方向4：高溫超導中心螺線管模型磁體交流損耗特性研究
研究目標🌂：厘清高溫超導中心螺線管磁體交流損耗形成機製，研製聚變用模型磁體，20K下最高磁場＞10T🧢💂♂️，自場磁體變化率＞3T/s，背景磁場變化率＞0.15T/s，新型結構磁體交流損耗下降70%以上⏪。
研究內容：開展高溫超導聚變中心螺線管模型磁體的電磁特性模擬與結構綜合優化✫，獲取磁體核心工藝窗口並試製模型磁體🤌🏽，研究磁體交流損耗形成機製，搭建交流損耗測試平臺並進行驗證。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過500萬元🫠。
執行期限🤷🏼♀️：2024年12月1日至2026年11月30日👵🏽。
方向5：20K溫區高效製冷機技術研究
研究目標：開展20K溫區製冷機研製，實現單臺製冷量＞50W、比卡諾效率＞8.5%、無故障運行時間＞10000小時，製備樣機並開展應用驗證👩🏽🍼。
研究內容☂️：研究20K製冷循環損失機理🏊♀️、高效優化設計策略🪒、故障和失效模式以及長壽命保障措施，研製20K製冷機並開展應用驗證。
經費額度🔤：非定額資助，擬支持不超過2個項目🧚🏿🚶♀️，每項資助額度不超過200萬元。
執行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。
專題三、超導應用技術
方向6👸：大尺寸高溫超導薄膜生長技術及其應用器件研究
研究目標🪇：研究高溫超導薄膜磁控濺射法生長技術（尺寸≥2英寸、厚度5-70nm、表面粗糙度≤2nm、JC≥2 MA/cm2@77K），製備高溫超導SQUID器件（噪聲≤50 fT/Hz1/2）並測試驗證。
研究內容🫐：研究高溫超導薄膜磁控濺射生長工藝及薄膜品質的構效關系，揭示薄膜物性與超導電子器件性能之間的關聯，進而研製高溫超導量子幹涉器件🐠，並開展物探測試驗證🈶。
經費額度😩：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過200萬元。
執行期限👨🌾：2024年12月1日至2026年11月30日🧃。
方向7：面向鎂合金形變熱處理的高溫超導應用技術研究
研究目標：面向航天裝備輕量化需求🕞，開發基於3T高溫超導磁感應的鎂合金快速均勻熱輸入裝置🔰，研究高溫超導形變熱處理技術🥌✯，製備大尺寸高性能鎂合金鍛件🔁。
研究內容：優化大體積鎂合金的均勻快速熱輸入裝置設計，調控高溫超導強磁場環境，研究微觀組織結構形成與演化規律及其對力學性能的作用機製，研製直徑＞800mm🧑🏽🎄、抗拉強度＞450MPa的高性能鎂合金鍛件🧑🎨。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過200萬元。
執行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。
二、申報方式
1.項目采用網上申報方式，無需送交紙質材料。申請人通過“中國上海”門戶網站（http://www.sh.gov.cn）--政務服務--點擊“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進入申報頁面：
【初次填寫】使用申報賬號登錄系統🍤，轉入申報指南頁面，點擊相應的指南專題後🦹♂️，按提示完成“上海科技”用戶賬號綁定，再進行項目申報（沐鸣平台學校代碼為42502641-7）；
【繼續填寫】登錄已註冊申報賬號、密碼後繼續該項目的填報。
有關操作可參閱在線幫助🆖。
2.項目網上填報起始時間為2024年9月25日9:00，校內申報截止時間為為2024年10月15日11:30。
科研處
2024年9月14日